产业

新材料出现!锡氧半导体材料有望让芯片提速百倍

字号+ 作者:winsensor 来源:winsen传感王 2016-02-22 10:09 我要评论( )

这种材料可让电荷以更快的速度通过,远胜硅与其它3D材料。近年来,半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下,但是新材料的出现,或可让它迎来又一个拐点。

       美国犹他州大学的工程师们,已经发现了一种由一氧化锡制成、只有单原子厚度的新型平面材料。这种材料可让电荷以更快的速度通过,远胜硅与其它3D材料。相比之下,在传统电子设备上,电荷会以各个方向穿过晶体管、以及玻璃衬底上其它由硅层组成的部件。近年来,半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下,但是新材料的出现,或可让它迎来又一个拐点。
采用锡氧材料打造的更快的半导体器件

        直到近年,工程师们才更多地将目光放到了诸如石墨烯(graphene)、二硫化钼(molybdenum disulfide)、硼墨烯(borophene)等2D材料上。

       领导这项研究的Ashutosh Tiwari教授称其强制电子“仅在单层上以快得多的速度通过”,是加快填补电子新材料缺口的一个重要组成部分。

       与石墨烯和其它近似原子厚度的材料不同,其同时允许负电子和正正电荷穿过,因此研究团队将之描述为“现有首种稳定P型2D半导体材料”。

       团队认为这种材料可用于制造比当前所使用的更小、更快的晶体管,让计算机和移动设备的运行速度提升百倍,同时温度更低、效率更高,并且延长电池的续航。


转载请注明出处。

1.本站遵循行业规范,任何转载的稿件都会明确标注作者和来源;2.本站的原创文章,请转载时务必注明文章作者和来源,不尊重原创的行为我们将追究责任;3.作者投稿可能会经我们编辑修改或补充。

相关文章
网友点评
精彩导读
热门资讯
关注我们
关注微信公众号,了解最新精彩内容